Por Canuto  

GlobalFoundries anunció FDX Fusion, una tecnología FD-SOI de clase 7 nm que busca combinar lógica digital, radiofrecuencia y memoria en un solo chip. La empresa prevé iniciar la producción en Dresde en 2028, aunque todavía no publica cifras concretas de densidad ni dimensiones de transistores.
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  • FDX Fusion promete más del doble de densidad lógica que 22FDX y un rendimiento digital que GlobalFoundries describe como de clase 7 nm.
  • La tecnología apunta a automóviles, IA de borde, robótica, sensores y aplicaciones industriales que priorizan integración y eficiencia energética.
  • GlobalFoundries planea entregar silicio de demostración en 2027 y comenzar la producción en Dresde en 2028, pero aún faltan métricas públicas y detalles del ecosistema de diseño.

Sumario: GlobalFoundries retoma el escalado FD-SOI con un proceso pensado para integrar lógica, radiofrecuencia y memoria, aunque todavía no revela las métricas que permitirían compararlo con nodos FinFET establecidos.

GlobalFoundries presentó FDX Fusion, un proceso de fabricación basado en FD-SOI que la compañía describe como de clase 7 nm por su rendimiento digital. La tecnología promete más del doble de densidad de transistores frente a 22FDX, su plataforma original de esta familia, y apunta a dispositivos donde el bajo consumo y la integración pueden pesar más que el máximo desempeño. La empresa espera iniciar la producción en su planta de Dresde, Alemania, en 2028.

El anuncio marca un cambio de rumbo respecto de la decisión que tomó GlobalFoundries en 2018, cuando abandonó el desarrollo de nodos de vanguardia y canceló un proceso FinFET de clase 7 nm que desarrollaba junto con IBM. Casi ocho años después, la compañía vuelve a presentar una tecnología asociada con esa escala, pero con transistores planares y silicio sobre aislante totalmente agotado, conocido como FD-SOI. Tom’s Hardware destacó que la propuesta no equivale necesariamente a un nodo con dimensiones físicas comparables a los procesos de 7 nm de otras fundiciones.

Un nodo para combinar funciones en un solo chip

FDX Fusion no se limita a prometer lógica digital más compacta: GlobalFoundries también plantea integrar circuitos de radiofrecuencia, componentes analógicos y de señal mixta, memoria no volátil y computación en memoria. La combinación podría permitir que un sistema procese datos de sensores, ejecute inferencia de inteligencia artificial, controle dispositivos y se comunique de forma inalámbrica mediante un solo chip. En diseños que hoy requieren varios circuitos integrados fabricados con procesos distintos, esa integración podría reducir complejidad y consumo energético.

La compañía atribuye el salto de densidad a una combinación de innovaciones en sustratos SOI, estructuras de transistores e interconexiones de las capas posteriores de fabricación. Sin embargo, no publicó dimensiones de transistores, paso entre compuertas conectadas, separación mínima entre metales ni una cifra absoluta de transistores por unidad de superficie. Por eso, el anuncio permite conocer la dirección del desarrollo, pero todavía no ofrece parámetros suficientes para comparar directamente el proceso con alternativas FinFET.

En radiofrecuencia, GlobalFoundries anticipa transistores con valores de frecuencia de transición y frecuencia máxima de oscilación, fT y fmax, de hasta 0,5 THz. La empresa también prevé ofrecer propiedad intelectual de procesadores basada en arquitecturas MIPS, ARC y RISC-V, con el propósito de acelerar el diseño de productos especializados. Esa combinación busca atraer a fabricantes que necesitan unir cómputo, conectividad y procesamiento de señales sin repartir tantas funciones entre varios chips.

La propuesta podría tener particular interés en aplicaciones automotrices, inteligencia artificial de borde, industria, robótica y sensores, sectores que suelen exigir bajo consumo, alta integración y costos controlados. En un dispositivo de borde, procesar información cerca del sensor puede ayudar a responder sin depender de una conexión constante con centros de datos, aunque GlobalFoundries no presentó productos concretos ni resultados de rendimiento de sistemas. La utilidad real dependerá de cómo se traduzcan las características del proceso en diseños y productos comerciales.

Clientes interesados y calendario de desarrollo

GlobalFoundries indicó que BMW, Bosch, Infineon, NXP, Siemens y Tesla han expresado interés en FDX Fusion. La mención de esas compañías no equivale a contratos de producción ni confirma que todas desarrollen productos con el proceso; la firma no identificó diseños específicos ni volúmenes comprometidos. Infineon sí confirmó de manera particular que colabora en futuras tecnologías de clase 7 nm para radar y comunicaciones inalámbricas.

La hoja de ruta contempla entregar silicio de demostración inicial a clientes para evaluación a comienzos de 2027 y publicar el primer kit de diseño de procesos, o PDK, a mediados de ese año. El PDK reúne información que los equipos de diseño necesitan para adaptar sus circuitos a las reglas y características de una tecnología de fabricación. La producción de chips, en cambio, está prevista para 2028 en la instalación de Dresde.

Sébastien Dauvé, director ejecutivo de CEA-Leti, celebró el anuncio y afirmó que la organización lleva décadas impulsando FD-SOI. También señaló que la línea piloto FAMES de CEA-Leti trabaja en el futuro mapa europeo de esta tecnología y en promover su adopción en distintas aplicaciones. El respaldo muestra el interés de un centro de investigación europeo en la plataforma, pero no sustituye las métricas de fabricación ni la validación de productos de clientes.

El origen de FDX Fusion se entiende mejor al revisar los planes anteriores de GlobalFoundries. La empresa introdujo 22FDX en 2015 y anunció 12FDX en 2016, con promesas de rendimiento comparable al FinFET de 10 nm, mejoras de densidad de una generación completa y hasta 50% menos consumo de energía. Los primeros tape-outs de clientes se esperaban para 2019, pero 12FDX nunca llegó a productos comerciales, mientras la compañía se concentró en mejorar su tecnología de clase 22 nm.

Promesas técnicas y preguntas pendientes

GlobalFoundries desarrolló posteriormente 22FDX+, que incorporó capacidades adicionales para radiofrecuencia, memoria integrada y aplicaciones de bajo consumo. Incluso en 2022, 12FDX todavía aparecía en la hoja de ruta para inversionistas de la compañía, aunque su adopción comercial no se concretó. FDX Fusion podría materializar la antigua ambición de escalar FD-SOI más allá de la generación de 22 nm, pero la empresa no aclaró si el nuevo proceso aprovecha desarrollos de aquel programa anterior.

Una de las principales incógnitas está en la expresión rendimiento digital de clase 7 nm. GlobalFoundries no precisó si se refiere a velocidad de conmutación de transistores, rendimiento de celdas estándar, frecuencia de operación alcanzable u otra métrica. La empresa sí habla de más del doble de densidad lógica que su primera tecnología FDX, pero tampoco ofrece una cifra concreta que permita medir esa mejora con precisión.

Por ello, aún no es posible establecer cómo se comparará FDX Fusion con procesos FinFET de clase 7 nm que ya cuentan con datos de densidad, rendimiento, consumo y costos, además de ecosistemas de diseño y suministro más maduros. La evaluación también dependerá del rendimiento de fabricación, los costos de producción y la disponibilidad de herramientas de automatización de diseño electrónico, bibliotecas de celdas, compiladores de memoria e interfaces probadas. GlobalFoundries no detalló esos componentes en su anuncio, pese a que resultan decisivos para que los desarrolladores puedan llevar diseños a producción.

El calendario también refleja las dificultades de ampliar FD-SOI a generaciones más avanzadas: la producción prevista para 2028 llega casi nueve años después de la fecha en que se esperaban los primeros tape-outs de 12FDX. La demora por sí sola no determina el resultado del nuevo nodo, pero sí subraya que la promesa técnica debe acompañarse de inversión, rendimiento de fabricación y apoyo comercial sostenido. Para las empresas interesadas, las próximas evaluaciones de silicio y la publicación del PDK serán hitos importantes.

La propuesta de GlobalFoundries se diferencia de una carrera centrada exclusivamente en fabricar los transistores más pequeños: busca reunir lógica digital relativamente potente con radiofrecuencia, circuitos analógicos y memoria integrada. Si esa combinación funciona según lo previsto, podría simplificar ciertos sistemas y reducir su consumo, sobre todo en dispositivos automotrices e industriales. Por ahora, el anuncio establece una apuesta y un calendario, pero la densidad real, el desempeño, los costos y la amplitud del ecosistema todavía deberán demostrarse.


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