Por Canuto  

Samsung Foundry ajusta su estrategia: retrasa el nodo de 1,4 nm hasta 2029 y solo adoptará litografía EUV de alta NA para la era de 1 nm, a partir de 2030. ¿Qué hay detrás de esta decisión y cómo afecta a sus clientes como Tesla?
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  • Samsung Foundry retrasa su proceso SF1.4 de 1,4 nm hasta 2029, en lugar de 2027.
  • La compañía priorizará afinar su familia de nodos de 2 nm para mejorar rendimientos y volúmenes.
  • La litografía EUV de alta NA se usará por primera vez en los nodos de clase 1 nm, hacia 2030.

La carrera por reducir el tamaño de los transistores es cada vez más compleja, y Samsung Foundry acaba de modificar su hoja de ruta para adaptarse a esa realidad. La compañía surcoreana presentó sus planes actualizados en la Conferencia de Litografía y Patrones de Próxima Generación 2026 (NGL 2026), revelando un cambio significativo respecto a lo anunciado en 2024.

En lugar de apresurar su nodo de clase 1,4 nm (denominado SF1.4) para llegar al mercado cuanto antes, Samsung optará por concentrar sus esfuerzos en perfeccionar sus procesos de fabricación de la serie SF2, que incluyen SF2P, SF2X, SF2A y SF2Z. La compañía también confirmó que la litografía EUV de alta apertura numérica (High-NA EUV) debutará en sus nodos de clase 1 nm, a partir de 2030.

Samsung ajusta su hoja de ruta tecnológica

El cambio más notable es el retraso del nodo SF1.4, que pasa de 2027 a 2029. Esta decisión refleja una estrategia más conservadora, orientada a consolidar sus tecnologías de 2 nm antes de avanzar a dimensiones más pequeñas.

Según confirmó Chang Min Park, vicepresidente maestro de tecnología de Samsung Electronics, la compañía prefiere invertir en mejorar los rendimientos y volúmenes de su familia SF2 antes de introducir un nodo más avanzado. “Queríamos aplicar EUV de alta NA a la producción en masa en nodos como 2 nm y 1,4 nm, pero la tecnología aún requiere más mejoras”, declaró en la conferencia.

La hoja de ruta anterior preveía el lanzamiento de SF1.4 en 2027, pero ahora la empresa surcoreana lo traslada a 2029. Esto le da un ciclo de vida más largo a los procesos de 2 nm, que se convertirán en la base de sus ofertas comerciales durante al menos tres años más.

Curiosamente, la compañía planea que el nodo de clase 1 nm coexista con una versión mejorada del SF1.4, denominada SF1.4+. Esta convivencia refleja una apuesta doble: una tecnología de punta con EUV de alta NA y un proceso más maduro basado en matrices de baja NA.

El retraso responde también a la necesidad de incorporar pellicles para fotomáscaras EUV, un cambio que altera las rutinas operativas de Samsung. Este ajuste obliga a reconsiderar las recetas de proceso de algunos nodos futuros, como se mencionó en el informe de ZDNet Korea.

La prioridad de los rendimientos y el acuerdo con Tesla

Una de las razones más contundentes para alargar la vida útil de los nodos de 2 nm es el acuerdo de suministro a largo plazo que Samsung firmó con Tesla. La empresa automotriz dependerá de los procesadores AI5 y AI6 que fabricará Samsung hasta 2033.

Garantizar que estos chips salgan con los menores defectos posibles es esencial para mantener la confianza del cliente. Por ello, Samsung prefiere concentrar sus recursos en optimizar los procesos de 2 nm, que son la base de esos productos.

Al mejorar los rendimientos, Samsung reduce el costo por chip y aumenta la capacidad de producción, algo crítico para satisfacer los volúmenes que exige Tesla. Este enfoque comercial explica el cambio de prioridades frente a una carrera agresiva por el nodo más diminuto.

La noticia fue cubierta inicialmente por Tom’s Hardware, que recopiló los detalles de la presentación en la conferencia NGL 2026. Samsung no ha dado fechas exactas para la introducción de SF2P u otras variantes, pero se espera que estos procesos dominen el portfolio de la empresa durante los próximos años.

La atención en los rendimientos es una respuesta directa a los retos que enfrentó Samsung con sus primeras generaciones de EUV. Los fabricantes de chips saben que un nodo exitoso no solo es pequeño, sino también producible en masa con altos márgenes de error aceptables.

La adopción de litografía EUV de alta NA

El anuncio más estratégico es la confirmación de que Samsung usará litografía EUV de alta NA solo a partir de su nodo de clase 1 nm, denominado internamente como A10. La fecha estimada para su producción es 2030.

Hace más de un año, Samsung adquirió un escáner ASML Twinscan EXE:5000 con apertura numérica 0.55, que ha estado empleando con fines de investigación. Sin embargo, la compañía no tiene prisa por integrarlo en sus procesos de fabricación convencionales.

Chang Min Park explicó que la tecnología EUV de alta NA necesita mejoras adicionales antes de ser viable en producción masiva. Por eso, en lugar de arriesgarse con nodos intermedios, Samsung esperará hasta que esté lista para la era de 1 nm.

La decisión contrasta con la de Intel, que ya planea usar herramientas EUV de alta NA en algunas de sus tecnologías de la familia 14A. TSMC, por su parte, la considera una tecnología para la década de 2030, similar a la postura de Samsung.

El principal atractivo de la litografía EUV de alta NA es su capacidad para imprimir patrones más finos con una sola exposición, reduciendo la necesidad de multipatrón. Esto puede disminuir costos de proceso, pero implica inversiones enormes en nuevas fábricas y materiales.

Desafíos técnicos y económicos de la alta NA

Los sistemas EUV de alta NA de ASML tienen un costo significativamente mayor que los de baja NA utilizados hoy en día. Esto aumenta el precio de construcción de una fábrica de chips y puede repercutir en el costo final de los semiconductores.

Además, la óptica de alta NA reduce el campo de exposición, lo que complica el diseño de chips grandes. Para estos casos, se requeriría unir múltiples matrices, lo que incrementa la complejidad y reduce la ventaja de rendimiento sobre los sistemas de baja NA.

La tecnología también exige fotorresistencias mejoradas, máscaras especiales, pellicles y ajustes en metrología e inspección. Toda esta infraestructura adicional implica un costo de desarrollo que se amortiza solo si el volumen de producción es masivo.

Samsung ya enfrenta desafíos con la litografía EUV convencional, como la formación de partículas en las máscaras. La introducción de alta NA requerirá resolver esos problemas a una escala mayor.

Por eso, Samsung prefiere esperar a que la tecnología madure y que las curvas de rendimiento sean estables. La compañía colabora con diversos socios para acelerar ese proceso, como indicó Chang Min Park.

Panorama competitivo en la fabricación de chips

La revisión de la hoja de ruta de Samsung llega en un momento en que TSMC domina el mercado de semiconductores avanzados. La empresa taiwanesa produce la mayoría de los chips de 3 nm y 2 nm para clientes como Apple, AMD y Nvidia.

Intel, por su parte, está apostando fuerte por la litografía EUV de alta NA para recuperar terreno, aunque sus resultados en fabricación aún son inciertos. La estrategia de Samsung busca diferenciarse mediante una maduración más cuidadosa de sus nodos.

Para el sector de criptomonedas y minería, estos avances en litografía son relevantes porque determinan la eficiencia energética de los futuros ASIC y procesadores. Un nodo más pequeño suele implicar menor consumo por operación, algo crítico para la minería de criptoactivos.

No obstante, el enfoque de Samsung en el corto plazo es satisfacer sus compromisos con Tesla y otros clientes de alto volumen. La prioridad es la rentabilidad y la fiabilidad, más que ser el primero en cada nodo.

El retraso en SF1.4 podría dar a TSMC una ventaja temporal en el segmento de 1,4 nm, pero Samsung espera compensarlo con un proceso más consolidado. La compañía surcoreana está dispuesta a perder la carrera de la novedad para ganar la de la calidad.


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