Micron advierte que la HBM consume tres veces más silicio que la DDR5

La memoria de alto ancho de banda que impulsa a los sistemas de inteligencia artificial está consumiendo cada vez más silicio, mientras la escasez presiona los precios de la DRAM convencional. Micron advierte que la brecha frente a DDR5 se amplía con cada generación y que el alivio del mercado dependerá de nueva capacidad fabril y avances tecnológicos aún lejanos.
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• Micron calcula que la HBM requiere aproximadamente tres veces el área de oblea de la DDR5 para la misma capacidad.
• Los precios de la DRAM convencional subieron entre 90% y 95% en el primer trimestre de 2026 y entre 58% y 63% en el segundo.
• La industria enfrenta límites térmicos y de apilamiento mientras SK Hynix mantiene el liderazgo del mercado HBM.

La memoria de alto ancho de banda, conocida como HBM, se ha convertido en un componente central de los aceleradores utilizados para inteligencia artificial, pero su fabricación exige una cantidad de silicio cada vez mayor frente a la DDR5 convencional. Raghu Sreeramaneni, becario de Arquitectura de Diseño HBM de Micron, afirmó durante la conferencia Hot Chips 2026 que la penalización de oblea no se está reduciendo con las nuevas generaciones. Según su explicación, una misma capacidad requiere actualmente cerca de tres veces el área de silicio de una solución DDR5 comparable.

La advertencia llega mientras el mercado de memoria atraviesa una fuerte presión de precios, impulsada por la demanda de servidores y aceleradores para IA. Sreeramaneni sostuvo que cerrar la brecha entre HBM y DDR5 implicaría sacrificar rendimiento, una alternativa que Micron no está dispuesta a aceptar, por lo que la compañía considera que el diferencial seguirá ampliándose conforme aumenten la velocidad, el paralelismo y la complejidad de los paquetes.

Una brecha que crece con cada generación

La diferencia nace de la forma en que ambas memorias entregan ancho de banda. HBM4 utiliza 256 bancos, mientras un dado DDR5 cuenta con 32, y el diseño de HBM opera esos bancos en paralelo para alcanzar velocidades mucho mayores, lo que exige más superficie para las rutas de datos, la distribución eléctrica y las vías de silicio que conectan las capas apiladas con el dado base.

Micron explicó que un dado HBM3E puede proporcionar hasta 256 GB/s, frente a aproximadamente 8 GB/s de un dado DDR5. Por eso, cuando se compara la cantidad de bits necesaria para igualar el ancho de banda, la solución HBM termina ocupando un espacio considerablemente mayor, incluso antes de contabilizar otros elementos del paquete avanzado.

La compañía atribuye el aumento de la penalización a varios factores que se acumulan generación tras generación. Entre ellos figuran velocidades de pines más altas, un mayor número de bancos, vías de silicio más altas y puntos de conexión de mayor tamaño, elementos que expanden el dado y complican la fabricación sin ofrecer una reducción equivalente del área utilizada.

Sreeramaneni describió la HBM como “probablemente la solución más compleja interfuncional que diseñamos”. En un paquete de dos generaciones, Micron calcula que la memoria representa cerca de 90% del silicio y puede ocupar aproximadamente ocho veces el área de los dados de una generación individual, una proporción que ayuda a explicar por qué cada avance de rendimiento tiene un costo industrial tan elevado.

Precios de la memoria bajo presión

La escasez de capacidad no afecta únicamente a los fabricantes de aceleradores. La HBM se comercializa a alrededor de cinco veces el precio de la DDR5 por bit, de modo que cada oblea destinada a productos para IA retira del mercado una cantidad desproporcionada de memoria convencional y puede elevar el costo de computadores, servidores y otros equipos que dependen de la DRAM.

De acuerdo con los datos citados por Tom’s Hardware, los precios de la DRAM convencional aumentaron entre 90% y 95% trimestre contra trimestre durante el primer trimestre de 2026, y luego subieron entre 58% y 63% en el segundo trimestre. Un kit estándar de 32 GB DDR5-6000 llegó a EUR 392 en agosto, frente a un rango cercano a EUR 110 y EUR 140 un año antes, mientras un kit de 128 GB superó los EUR 3.399.

El incremento también se refleja en el mercado europeo, donde los precios de la memoria registraron un avance de 345% desde septiembre del año anterior, según la información divulgada en el reporte. En febrero, HP dijo a sus inversionistas que la DDR5 representaba cerca de 35% del costo de sus computadores personales para juegos, una proporción que deja a los fabricantes expuestos a cualquier nuevo salto en la cotización de los chips.

El alivio observado en el tercer trimestre tampoco significaría que la oferta haya mejorado. El reporte indicó que varios fabricantes de productos electrónicos para el hogar llegaron al límite de su capacidad para absorber los costos, por lo que la presión sobre los precios disminuyó principalmente por una menor capacidad de pago de los compradores y no por un aumento suficiente de la producción.

Más ancho de banda, calor y límites físicos

La presentación de Micron comparó la evolución del rendimiento computacional con la del ancho de banda de la memoria. Mientras la capacidad de cómputo crece aproximadamente tres veces cada dos años, el ancho de banda de HBM aumenta a un ritmo inferior al doble, una divergencia que Sreeramaneni resumió con una advertencia: “el muro de la memoria sigue presente y, de hecho, posiblemente está empeorando”.

HBM4 duplica la interfaz del anfitrión hasta 2.048 entradas y salidas, y esas soluciones pueden operar por encima de 11 Gbps por pin. El estándar HBM4 de JEDEC contempla más de 8 Gbps y hasta 2 TB/s de ancho de banda, pero cada mejora depende de un paralelismo mayor, que a su vez incrementa el área del dado y la proporción de silicio requerida.

Micron señaló que existe un camino razonable hacia pilas de 16 capas de DRAM, aunque todavía queda un trabajo considerable después de alcanzar 32 capas. SK Hynix describió por separado un límite de grosor total de 775 micras, una restricción que dificulta seguir apilando componentes hasta que la industria adopte la unión híbrida, una tecnología que la empresa espera utilizar más adelante, posiblemente con HBM5.

El calor añade otra limitación a la escalada. El dado base, situado en la parte inferior de la pila, realiza tareas de interfaz a gran velocidad y queda más lejos del disipador ubicado en la parte superior, por lo que cada capa adicional eleva la resistencia térmica y concentra el desafío en el componente que opera en las condiciones más exigentes.

Micron afirmó que ahora diseña sus soluciones alrededor de las condiciones térmicas, en lugar de intentar resolver el calor después de definir el producto. La empresa también destacó una medición según la cual Meta Llama 3 generó 17,2% de sus apariciones espontáneas durante un periodo de 54 días en 16 GPU de entrenamiento gracias a la memoria HBM3, una referencia que busca mostrar el peso de la memoria en el rendimiento de las cargas de IA.

Competencia y perspectivas de suministro

SK Hynix conserva el liderazgo del mercado HBM, con una participación cercana a 58% según Counterpoint Research, aunque esa cuota se encuentra por debajo de aproximadamente 69% en el periodo anterior citado. Micron avanzó frente a Samsung durante el último año y comenzó a vender en volumen HBM4 de 36 GB y 16 capas para la plataforma Vera Rubin.

Los analistas anticipan que la rentabilidad por oblea de la DRAM convencional podría superar a la de HBM3E hacia el cierre del año. Esa perspectiva crea incentivos para que los fabricantes incrementen la capacidad de memoria comercial, especialmente porque los servidores de DRAM disponibles pueden ofrecer retornos cercanos a los de los productos destinados a inteligencia artificial.

SK Hynix comunicó que ya había vendido toda su producción prevista para 2026. El director ejecutivo de la compañía también advirtió a los inversionistas que el suministro dirigido a fabricantes independientes de módulos podría caer hasta 30% de los volúmenes de 2026 durante el año siguiente, mientras el presidente ejecutivo de SK Group describió la situación como el peor periodo de suministro de memoria en la historia del sector.

La demanda podría superar a la producción hasta 2036, según esa evaluación del grupo surcoreano. En paralelo, el aumento del costo de la memoria ya se ha trasladado a equipos para IA: Nvidia elevó el precio de su DGX Spark y los servidores de inteligencia artificial de gama alta registraron aumentos superiores a 15%, movimientos que el reporte vincula con el encarecimiento de los componentes de memoria.

El alivio estructural dependerá de cambios que todavía no parecen inminentes. Entre las posibilidades mencionadas figuran que CXMT alcance una DDR5 competitiva con producción amplia, que la unión híbrida se vuelva disponible, que HBM5 introduzca una mejora suficiente o que la rentabilidad relativa de la DDR5 vuelva a superar la de la HBM, mientras la nueva capacidad fabril no llegue a operar a una escala capaz de equilibrar la demanda.

Causas de movimientos recientes

El movimiento reciente del mercado de memoria no tiene un motivo único confirmado en la evidencia disponible. Una explicación plausible es la combinación de la demanda de aceleradores para IA con la reasignación de capacidad hacia HBM, que reduce la oferta disponible para DRAM convencional. La presión también coincide temporalmente con la celebración de Hot Chips 2026 y con las advertencias expuestas por Micron sobre el consumo de silicio, pero esa coincidencia no demuestra por sí sola una relación causal.

Micron prepara una HBM más personalizada

Micron prevé que su HBM4E llegue alrededor de 2027 y contempla cambiar el dado lógico base hacia un proceso de fabricación de TSMC. La decisión forma parte de una transformación más amplia hacia productos personalizados, motivada por la fragmentación de las cargas de trabajo de IA y por la necesidad de adaptar la memoria a diferentes arquitecturas de cómputo.

El cambio de proveedor para el dado base también refleja la complejidad creciente del paquete. La memoria ya no funciona como un componente aislado, porque su diseño debe coordinar interfaces, alimentación, interconexiones, disipación térmica y apilamiento, factores que determinan tanto el rendimiento final como el número de unidades que pueden obtenerse de cada oblea.

Para los desarrolladores de sistemas de IA, la HBM ofrece el ancho de banda necesario para mantener ocupados a aceleradores cada vez más potentes. Para los fabricantes y compradores de memoria, sin embargo, ese beneficio llega acompañado de más silicio por bit, precios superiores y una competencia directa por la capacidad de producción que antes abastecía a computadores personales y servidores tradicionales.

La conclusión de Micron no es que la HBM vaya a desaparecer, sino que su éxito intensifica el problema que pretende resolver. Mientras el cómputo avanza más rápido que el acceso a los datos, la industria deberá encontrar nuevas formas de fabricar, apilar y refrigerar memoria sin trasladar toda la presión a los precios finales.

Imagen original de DiarioBitcoin, creada con inteligencia artificial, de uso libre, licenciada bajo Dominio Público.

Este artículo fue escrito por un redactor de contenido de IA y revisado por un editor humano para garantizar calidad y precisión.

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