Por Canuto  

Intel informó que ya procesó más de un millón de obleas de 300 milímetros con escáneres EUV High-NA, un hito que la compañía presenta como superior al volumen combinado del resto de la industria. Intel también evalúa fotomáscaras de 6×12 pulgadas para evitar la unión de campos, elevar el rendimiento y abrir una nueva disputa por el estándar de la litografía avanzada.
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  • Intel superó el millón de obleas High-NA procesadas en menos de dos años y medio desde el ensamblaje de su primera herramienta, según la compañía.
  • La unión de campos puede reducir el rendimiento de un escáner EXE:5200B de 175 a 125 obleas por hora, según datos citados por Tom’s Hardware.
  • Las máscaras de 6×12 pulgadas permitirían exponer campos completos de 26×33 milímetros, aunque exigirían cambios en toda la cadena industrial.

Intel alcanzó un hito relevante en la fabricación avanzada de semiconductores al informar que procesó más de un millón de obleas de 300 milímetros mediante escáneres de litografía ultravioleta extrema de alta apertura numérica, conocidos como EUV High-NA. La empresa asegura que consiguió la cifra menos de dos años y medio después de ensamblar su primera herramienta, una señal de la creciente utilización de esta tecnología en actividades de investigación, certificación y fabricación.

El volumen incluye obleas utilizadas durante la instalación y certificación de los equipos, trabajos de investigación y desarrollo, además de producción. Intel también ha vinculado sus herramientas High-NA con el desarrollo de procesos avanzados y con la fabricación de determinados productos basados en Intel 18A. Sin embargo, la evidencia disponible no permite afirmar que toda la producción de Panther Lake utilice exclusivamente High-NA.

Un hito para la madurez de EUV High-NA

La cifra no representa únicamente una marca de producción, sino también una medida del aprendizaje acumulado por Intel en una plataforma litográfica todavía nueva para la industria. La compañía ha recibido sistemas ASML TWINSCAN EXE:5000 y está incorporando herramientas de la familia EXE:5200B, aunque el número exacto de equipos operativos y su distribución entre investigación, certificación y producción debe entenderse según las comunicaciones de cada empresa.

A finales de febrero de 2025, Intel procesaba alrededor de 30.000 obleas con su herramienta EUV High-NA, mientras que el nuevo dato supera el millón en septiembre de 2026. El salto refleja un aumento considerable en la utilización acumulada, aunque también debe leerse junto con la expansión de la infraestructura y con la incorporación de herramientas más recientes, como el EXE:5200B.

ASML informó el 15 de julio de 2026 de un nuevo hito de preparación de High-NA EUV, relacionado con la entrada en fabricación de alto volumen de un producto lógico. Ese anuncio confirma el avance de la tecnología hacia usos industriales, pero no permite sostener por sí solo que todos los escáneres enviados hayan procesado más de 500.000 obleas.

Intel presenta su volumen acumulado como superior al procesado por el resto de la industria combinada. Esa comparación debe atribuirse a la compañía, porque las cifras públicas disponibles no ofrecen un desglose independiente y homogéneo de todas las herramientas High-NA instaladas por otros fabricantes.

El resultado fortalece la posición de Intel como uno de los primeros fabricantes en acumular una utilización significativa de EUV High-NA. Para una tecnología destinada a producir patrones cada vez más pequeños, reunir datos de instalación, investigación, certificación y fabricación puede convertirse en una ventaja operativa cuando aumentan las exigencias de rendimiento y productividad por oblea.

La disputa por una máscara más grande

El siguiente desafío está relacionado con el tamaño del campo que cada exposición puede cubrir. La litografía EUV convencional, con una apertura numérica de 0,33, utiliza una magnificación de 4× en ambas direcciones y permite un campo de 26×33 milímetros sobre la oblea con fotomáscaras tradicionales de seis pulgadas.

La EUV High-NA emplea una apertura numérica de 0,55 y una magnificación anamórfica de 4×/8×, de modo que una máscara estándar de seis por seis pulgadas solo puede proporcionar un campo aproximado de 26×16,5 milímetros. Los diseños grandes que caben en un campo completo de la EUV convencional deben dividirse en dos semi-campos y exponerse mediante un proceso conocido como unión de campos o field stitching.

La unión permite trabajar con el estándar de máscara vigente, pero introduce costos y riesgos técnicos. En un escáner EXE:5200B, las cifras citadas por Tom’s Hardware sitúan la productividad en torno a 175 obleas por hora bajo determinadas condiciones de exposición. Las estimaciones sobre una caída hasta 125 obleas por hora dependen del uso de la unión de campos y de las condiciones concretas del proceso, por lo que no deben presentarse como una tasa universal del equipo.

Las dos exposiciones también deben alinearse con extrema precisión para que las líneas, los contactos y las interconexiones que cruzan el límite coincidan correctamente. Un desajuste mínimo puede distorsionar estructuras, romper conexiones o crear defectos, un problema especialmente sensible en matrices grandes destinadas a procesadores centrales y gráficos, donde cada pérdida de rendimiento puede tener un impacto económico mayor.

El reto de cambiar el estándar industrial

Para eliminar la unión de campos, Intel impulsa un esfuerzo orientado a desarrollar fotomáscaras de 6×12 pulgadas. Con ese formato, los escáneres EUV High-NA podrían exponer un campo completo de 26×33 milímetros en una sola operación, lo que potencialmente permitiría recuperar velocidad, simplificar algunos diseños y reducir los riesgos asociados con la coincidencia entre dos exposiciones.

Sin embargo, duplicar la longitud de la máscara no sería un cambio aislado dentro de una fábrica. El ecosistema tendría que adaptar los sustratos de máscara y sus procesos de deposición, grabado, inspección y metrología, además de los sistemas de limpieza, las películas protectoras, los escritores y los mecanismos de manipulación utilizados durante la producción.

Los propios escáneres EUV High-NA también tendrían que modificarse o rediseñarse para admitir las nuevas dimensiones. La información pública disponible describe el uso de retículas de seis por seis pulgadas y de unión de campos en las plataformas High-NA actuales, pero no confirma que los equipos existentes puedan actualizarse para manejar máscaras de 6×12 pulgadas.

Por esa razón, el paso hacia máscaras de 6×12 pulgadas todavía representa una posibilidad en evaluación y no un estándar industrial establecido. Si el proyecto prospera, Intel podría obtener una ventaja de primer movimiento al influir en las especificaciones, los proveedores y los procesos que definirían la litografía por proyección durante décadas, aunque también asumiría el costo y la complejidad de impulsar una transformación en toda la cadena de suministro.

Qué significa para la fabricación avanzada

La disputa no se limita a fabricar una pieza más grande, sino a decidir cómo se construirán y expondrán los chips de gran tamaño en las próximas generaciones de procesos. Intel puede utilizar por ahora máscaras estándar y unión de campos, pero los datos de productividad citados públicamente muestran por qué busca una alternativa que reduzca operaciones y limite las zonas críticas de alineación.

El millón de obleas procesadas proporciona a la empresa una base de experiencia mientras intenta resolver ese problema de infraestructura. Esa experiencia incluye producción, certificación y desarrollo, pero no elimina automáticamente las dificultades de adoptar un formato de máscara que requiere equipos compatibles, proveedores especializados y procedimientos de control ajustados.

Para los fabricantes de chips, la decisión tendrá consecuencias sobre el diseño de matrices grandes, la velocidad de las líneas y la gestión de defectos. Para ASML y los proveedores de materiales, herramientas de inspección y sistemas de manipulación, una transición semejante podría exigir inversiones que afectarían la compatibilidad con las plataformas ya planificadas.

El calendario de la industria todavía favorece el uso de retículas de seis por seis pulgadas y la unión de campos. Intel, no obstante, parece decidida a promover un cambio de estándar que podría convertir su ventaja de utilización en una ventaja estratégica más amplia, siempre que logre demostrar que los beneficios de las máscaras gigantes compensan el costo de reconstruir buena parte del ecosistema.

Imagen original de DiarioBitcoin, creada con inteligencia artificial, de uso libre, licenciada bajo Dominio Público.

Este artículo fue escrito por un redactor de contenido de IA y revisado por un editor humano para garantizar calidad y precisión.


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